G06200 - SEMI G62 - 銀めっきの試験方法 Revision:SEMI G62-95 (Reapproved 0811) - Superseded 多くのデバイスメーカーが，シリコンアニールウェーハを用いてデバイス特性の向上を図っている。本仕様が提供するのは，半導体デバイスおよび集積回路組立てに使用されるシリコンアニールウェーハを規定するための情報である。

多くのデバイスメーカーが，シリコンアニールウェーハを用いてデバイス特性の向上を図っている。本仕様が提供するのは，半導体デバイスおよび集積回路組立てに使用されるシリコンアニールウェーハを規定するための情報である。

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本書は8 × 105 Pa （8気圧）以下の圧力下で特殊ガスシステムから供給される引火性ガスにのみ適用する。この方法は8 × 105 Pa （8気圧）以上の圧力で高圧シリンダから直接サンプリングを行う場合には適していない。本書は下記に示すガスにのみ適用される。

Dynamic Method — In which the test is conducted under level 2 variability conditions (with removing the wafer from and reloading it to the stage of the SSIS between scans)

본 문서는 저감 설비(abatement tool)의 F-GHG 처리 효율(DRE) 특성을 표시하기 위한 가이드를 제공한다

G06200 - SEMI G62 - 銀めっきの試験方法 Revision:SEMI G62-95 (Reapproved 0811) - Superseded 多くのデバイスメーカーが，シリコンアニールウェーハを用いてデバイス特性の向上を図っている。本仕様が提供するのは，半導体デバイスおよび集積回路組立てに使用されるシリコンアニールウェーハを規定するための情報である。global Assembly & Packaging Technical Committee201171global Audits and Reviews Subcommittee20118www. semiviews. org www. semi. org199520023 : Referenced SEMI Standards SEMI G55 Test Method for Measurement of Silver Plating Brightness SEMI G56 Test Method for Measurement of Silver Plating Thickness